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Polycrystalline silicon ingot

第四代高效多晶工藝:在現有的高純原輔材材料,全熔,半熔工藝高效多晶基礎上通過鑄錠爐結構上的改進,減小爐內橫向溫差,獲得更平的長晶界面,更優的柱狀晶和位錯密度更低的硅錠,同時利用DS的特殊導熱結構,使液相充分對流,減少雜質沉積;通過鑄錠端改良實現電池效率0.1%提升,并提高其良品率和生產效率。

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